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    別說(shuō)是整個(gè)全球了，僅華夏的市場(chǎng)，芯片就已經(jīng)是供不應(yīng)求了。

    而在研發(fā)技術(shù)方面，星光科技集團(tuán)也是不遣余力的投入巨資，如今已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了22納米制程工藝的光刻機(jī)量產(chǎn)。

    但浸潤(rùn)式DUV光刻機(jī)的極限，也就是22納米的制程工藝了，通過(guò)重復(fù)的暴光技術(shù)，在頂級(jí)制程技術(shù)和頂級(jí)材料的配合下，勉強(qiáng)可以加工生產(chǎn)出7至5納米制程工藝的芯片。

    這個(gè)技術(shù)可以說(shuō)是已經(jīng)超越了浸潤(rùn)式光刻機(jī)的極限了，再想更精密，基本上不可能了。

    而要想生產(chǎn)出更高制程工藝技術(shù)的光刻機(jī)，則只能是極深紫外線的EUV光刻機(jī)技術(shù)了。

    而EU∨光刻機(jī)技術(shù)，河蘭阿斯慢公司雖然已經(jīng)研究出來(lái)了，并且已經(jīng)投產(chǎn)了，但其實(shí)性能并不是很穩(wěn)定，產(chǎn)能很低，技術(shù)尚且不成熟。

    一直到二零一六年，河蘭阿斯慢公司才完成了，對(duì)EUV光刻機(jī)技術(shù)的突破，并最終實(shí)現(xiàn)了EUV光刻機(jī)的量產(chǎn)，一舉壟斷了全球的EUV光刻機(jī)市場(chǎng)。

    星光科技集團(tuán)想要研發(fā)EUV光刻機(jī)技術(shù)，難度可以說(shuō)是非常的大，而且這也不僅僅只是投資多少研發(fā)費(fèi)用的問(wèn)題。

    13.5nm引領(lǐng)下一代光源，新技術(shù)面臨巨大挑戰(zhàn)，更先進(jìn)的    EUV光刻系統(tǒng)，采用波長(zhǎng)為13.5nm的極紫外光作為曝光光源，是之前193nm的1/14。

    該光源被稱(chēng)為激光等離子體光源，是通過(guò)用高功率二氧化碳激光器激發(fā)錫（Sn）金屬液滴，通過(guò)高價(jià)Sn離子能級(jí)間的躍遷獲得13.5nm波長(zhǎng)的輻射。

    除了這些問(wèn)題之外，該光源的穩(wěn)定性和聚光元件的保護(hù)，也是巨大的挑戰(zhàn)。

    因?yàn)橛糜诩ぐl(fā)的激光器本身存在抖動(dòng)，激光與等離子體作用時(shí)產(chǎn)生的污染將會(huì)對(duì)光源聚光元件造成影響和破壞。


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