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    第122章一百二十一章：成本太高了

    過完節上班后，從越最關注的兩層堆疊存儲芯片圖紙終于出來了，隨即就開始在實驗室內進行流片封裝，tsv技術就運用在封裝這個環節，廢掉了大量的存儲芯片、經歷了多次封裝失敗后。在八之后終于成功的得到了幾百顆兩層堆疊的存儲芯片樣品，從越立即對它們進行數據測試。

    其實這顆存儲芯片是由兩片華科技剛剛研發的的第一代ddr存儲芯片疊加而成的，實際的技術難度非常大，但是出來的成品性能確實讓人感到驚艷。

    這顆存儲芯片工作電壓1.8v，工作頻率最高可以達到667mhz，單顆內存容量達到64m，基本跟圖紙設計指標相差無幾。而這個時期最好的存儲顆粒，也就是華科技最新研發的ddr一代的顆粒技術指標為：工作電壓2.5v、工作頻率266mhz，單顆內存容量為32m，運用了堆疊技術的存儲芯片在性能指標上完勝第一代ddr，但是在成本上卻鎩羽而歸。

    測試結果出來之后，參加存儲芯片設計的工程師們沸騰了，夜以繼日的辛苦得到了豐厚的結果，從越也能感受到大家的喜悅，tsv技術在這個時期是妥妥的黑科技，讓華科技在芯片領域實現彎道超車。

    只不過從越沒有特別的興奮，因為這顆存儲芯片的成本高的驚人，眼前的這幾百顆存儲芯片，每顆的成本就要一千五百多美元，這還只是按這次流片實驗費用測算的，如果按照整個技術研發費用來算的話那個成本就更嚇人了。雖然將來產量越多成本就會越低，但是令人頭疼的是成品率低的可怕，這導致成本無法馬上就能降下來，目前最重要的就是提高成品率。

    但是即便如此這項技術在如今這個時代是超前領先的存在，從越選擇的這條路是對的，這項技術跟目前的芯片技術對比，就好比螺旋槳飛機跟噴氣式飛機的差距，隨著這項技術的成熟完善，差距將會越來越大。

    從越知道，哪怕科技發展的再完善，在一個面積相等的平面上集成的晶體管數量是有上限的，而只有3d堆疊技術才可以打破這個瓶頸，而從越讓它提前面世了。

    tsv技術還分為四個種類，基于芯片堆疊的3d技術、有源tsv堆疊、無源tsv堆疊、存儲芯片堆疊。這次從越使用的就是存儲芯片堆疊技術。目前這四項種類的專利已經由華科技全部申請了，從越依據歐美科技企業的習慣也設置了高高的技術壁壘和護城河。

    實驗還要不斷的進行下去，現在實現的是兩片堆疊，還要繼續增加到三片、四片、五片.......！

    這邊的存儲芯片取得的進展，那邊的圖形圖像處理芯片也到了需要流片封裝的階段。
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